平板探测器通常用表面覆盖数百微米的闪烁晶体（如csi）的非晶态硅或非晶态硒做成。像素尺寸127 或200μm，平板尺寸大约45cm（18in）。读出速度大约3～7.5帧/s。优点是使用比较简单，没有图像扭曲。图像接近于胶片照相，基本上可以作为图像增强器的升级换代产品。主要缺点是表面覆盖的闪烁晶体不能太厚，对高能x 射线探测效率低；难以解决散射和窜扰问题，使动态范围减小。在较高能量应用时，必须对电子电路进行射线屏蔽。一般说使用在150kv以下的低能效果较好。
三代ct是单射线源，具有大扇角、宽明束、全包容被检断面的扫描方式。对应宽扇束有几个探测器，---一次分度取得八个投影计数和1值，被检物仅作m个分度旋转运动。第三代ct运动单一、好控制、，理论上被检物只需旋转一周即可检测一个断面。
四代ct也是一种大扇角全包容、只有旋转运动的扫描方式，射线ct检测，由相当多的探测器形成固定圆环，仅由辐射源转动实现扫描。其特点是扫描速度快、成本高，仅在ct上使用，射线ct检测，在工业ct中一般不采用。
五代ct是一种多源多探测器，射线ct检测价格，用于实时检测与生产控制系统，其辐射源与探测器按120°分布，工件与辐射源到探测器间不作相对转动，仅有管子沿轴向的快速分层运动。
面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
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