面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，射线检测，像素尺寸可小到10微米左右，射线检测，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
在大型部件检测方面，---适用于火箭、元件、、飞机发动机等的无损检测。大型工业ct的主要技术指标大约为待测物体直径1—2.5米，有效扫描高度2—8米，射线检测价格，承重可达数十吨，空间分辨率为1线对/毫米，密度分辨率0.5%，裂纹分辨0.05毫米×15毫米，扫描时间每层3分钟，图像重建时间6秒，工作台平移空位精度0.02毫米，工作台旋转空位精度10角秒。所用的辐射装置可用x射线机，亦可用60co、137cs或192ir的γ射线源。
一代ct使用单源(一条射线)单探测器系统，系统相对于被检物作平行步进式移动扫描以获得n个投影值(1值)，射线检测机构，被检物则按m个分度作旋转运动，被检物仅需转动180%。代ct机结构简单、成本低、图像清晰，但检测效率低，在工业ct中已经很少采用。
二代ct是在第代ct基础上发展起来的。使用单源小角度扇形射线束多探头，射线扇束角小、探测器数目少，因此扇束不能全包容被检断层，其扫描运动除被检物作m几个分度旋转外，射线扇束与探测列架还要一起相对于被检物作平移运动。在至全都覆盖被检物，得到所需的成像数据。
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