三代ct是单射线源，具有大扇角、宽明束、全包容被检断面的扫描方式。对应宽扇束有几个探测器，---一次分度取得八个投影计数和1值，被检物仅作m个分度旋转运动。第三代ct运动单一、好控制、，ct检测机构，理论上被检物只需旋转一周即可检测一个断面。
四代ct也是一种大扇角全包容、只有旋转运动的扫描方式，由相当多的探测器形成固定圆环，仅由辐射源转动实现扫描。其特点是扫描速度快、成本高，仅在ct上使用，ct检测，在工业ct中一般不采用。
五代ct是一种多源多探测器，用于实时检测与生产控制系统，其辐射源与探测器按120°分布，ct检测方案，工件与辐射源到探测器间不作相对转动，仅有管子沿轴向的快速分层运动。
面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
同位素辐射源的优点是它的能谱简单，ct检测，消耗电能少，设备体积小且相对简单，而且输出稳定。但是其缺点是辐射源的强度低，为了提高源的强度必须加大源的体积，导致“焦点”尺寸增大。在工业ct中较少实际应用。
同步辐射本来是连续能谱，经过单色器选择可以得到定向的几乎单能的高强度x射线，因此可以做成高空间分辨率的ct系统。但是由于射线能量为20kev到30kev，实际只能用于检测1mm左右的小样品，用于一些特殊的场合。
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